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上海辰(chén)華CHI200B微(wēi)電流放大器及(jí)屏蔽箱(xiāng)與 600A/B/C/D/E，700B/C/D /E和 800B/C /D係 列 的 儀(yí) 器(qì) 相 連 接(jiē) ， 可 測 量 1 pA 或(huò) 更(gēng) 低 的(dí) 電(diàn) 流(liú) 。
雙恒電(diàn)位(wèi)儀是(shì)一(yī)種(zhǒng)用(yòng)於測量電位差(chà)的(dí)儀(yí)器。它(tā)由(yóu)兩(liǎng)個參考電(diàn)極(jí)和(hé)一(yī)個測量(liáng)電極組成(chéng)。參(cān)考(kǎo)電極(jí)有穩(wěn)定的電勢，常用(yòng)的是銀/氯(lǜ)化銀電(diàn)極或(huò)飽(bǎo)和甘汞(gǒng)電極(jí)。測(cè)量電極(jí)用(yòng)於(yú)接觸(chù)被測(cè)體並測(cè)量其電勢。
上(shàng)海(hǎi)辰(chén)華CHI1100C大功(gōng)率恒(héng)電(diàn)位(wèi)儀/恒電流儀(yí)主(zhǔ) 要(yào) 用(yòng) 於 需(xū) 要(yào) 較(jiào) 大(dà) 電 流 和 較 高 槽(cáo) 壓 的(dí) 電 化 學 測(cè) 量 和 應(yīng) 用 ， 例 如 電 池 ， 腐 蝕(shí) ， 電 解(jiě) ， 電 鍍 等(děng) 。 儀 器(qì) 由(yóu) 數(shù) 字 信(xìn) 號(hào) 發 生 器(qì) ， 數 據 采(cǎi) 集(jí) 係 統 ， 和(hé) 恒 電 位 儀 / 恒 電(diàn) 流 儀 組 成(chéng) 。 儀(yí) 器 的 電(diàn) 流 範(fàn) 圍 為±2 A， 槽 壓(yā) 為 ±25 V。
上海辰華CHI400C是(shì)CH Instruments與武(wǔ)漢(hàn)大(dà)學合作(zuò)的產品。石英晶體微(wēi)天平(QCM)可進(jìn)行靈敏的質(zhì)量測(cè)量。在(zài)適(shì)當(dāng)的條件下，上海(hǎi)辰華(huá)CHI400C係列電(diàn)化(huà)學(xué)石英晶體微天(tiān)平石(shí)英(yīng)晶體上(shàng)沉積(jī)的質量(liáng)變化(huà)和振(zhèn)動(dòng)頻率移(yí)動(dòng)之(zhī)間(jiān)關(guān)係呈簡單的(dí)綫性(xìng)關係(Sauerbrey公式)：
上(shàng)海辰華CHI900D/920D掃描電化(huà)學顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)與掃描隧道顯(xiǎn)微鏡(jìng)(STM)的(dí)工(gōng)作原理類似(sì)。但SECM測量的不(bù)是(shì)隧(suì)道(dào)電(diàn)流，而(ér)是由(yóu)化學物質氧化(huà)或還(huán)原給(gěi)出(chū)的電化學電(diàn)流。盡(jìn)管SECM的(dí)分(fēn)辨(biàn)率較STM低，但(dàn)SECM的樣(yàng)品可(kě)以(yǐ)是導體(tǐ)，絕(jué)緣體(tǐ)或半導(dǎo)體，而STM隻(zhī)限於導體表麵的測量。SECM除(chú)了(liǎo)能(néng)給(gěi)出樣品表麵的地(dì)形地貌外，還(huán)能(néng)提(tí)供(gōng)豐富的化學(xué)信(xìn)息(xī)。其(qí)可觀(guān)察(chá)表(biǎo)麵的(dí)範圍(wéi)也大(dà)得多(duō)。
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