上海(hǎi)辰(chén)華CHI900D/920D掃描電化(huà)學顯(xiǎn)微鏡
簡要描(miáo)述(shù):上(shàng)海辰華CHI900D/920D掃(sǎo)描電化(huà)學(xué)顯(xiǎn)微鏡與(yǔ)掃描(miáo)隧道顯微鏡(STM)的工(gōng)作原(yuán)理類似(sì)。但SECM測量(liáng)的不是隧道電流,而(ér)是(shì)由(yóu)化學(xué)物質氧化(huà)或(huò)還原給出(chū)的(dí)電化(huà)學(xué)電(diàn)流。盡管SECM的(dí)分辨(biàn)率較(jiào)STM低,但SECM的樣品(pǐn)可(kě)以是(shì)導體(tǐ),絕緣(yuán)體或(huò)半導體(tǐ),而STM隻(zhī)限於(yú)導體表麵的測量。SECM除了(liǎo)能給出樣品(pǐn)表(biǎo)麵(miàn)的地(dì)形地(dì)貌(mào)外(wài),還能(néng)提供豐富(fù)的化(huà)學信息(xī)。其可觀(guān)察表(biǎo)麵的(dí)範(fàn)圍(wéi)也大得多。
產品型號:
所(suǒ)屬(shǔ)分類:上海辰(chén)華(huá)電化(huà)學工作站(zhàn)
更新(xīn)時間(jiān):2023-08-03
廠商(shāng)性(xìng)質:經銷商
| 品牌 | 其他品(pǐn)牌(pái) | 應用領域(yù) | 醫(yī)療衛生(shēng),化工(gōng),生(shēng)物產業(yè),能源,電子(zǐ)/電池(chí) |
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CH Instruments與University of Taxes at Austin的(dí)化學係的Allen J. Bard教(jiào)授合(hé)作實現(xiàn)了(liǎo)電化(huà)學掃描(miáo)顯微(wēi)鏡的儀器(qì)商品(pǐn)化,從而使得(dé)這一(yī)強(qiáng)有力(lì)的(dí)研究方法走進了更多(duō)的實(shí)驗室(shì)。
掃描電(diàn)化(huà)學顯微鏡與掃描(miáo)隧(suì)道顯微鏡(STM)的工作(zuò)原理類似。但(dàn)SECM測量的不(bù)是隧道電流(liú),而(ér)是由化(huà)學物質(zhì)氧化或還(huán)原給出(chū)的(dí)電(diàn)化(huà)學電流(liú)。盡管(guǎn)SECM的分辨(biàn)率(shuài)較STM低,但SECM的樣(yàng)品(pǐn)可(kě)以是(shì)導體(tǐ),絕(jué)緣體或(huò)半(bàn)導體,而(ér)STM隻限於導(dǎo)體(tǐ)表麵的測量。SECM除了能給(gěi)出(chū)樣品(pǐn)表麵的地(dì)形(xíng)地貌(mào)外,還能(néng)提(tí)供豐富的化學信(xìn)息(xī)。其(qí)可觀(guān)察(chá)表麵的範圍也(yě)大(dà)得(dé)多。
在SECM的實(shí)驗中,探頭先移動到非常(cháng)靠近樣(yàng)品表麵,然(rán)後在(zài)X-Y的平麵上(shàng)掃描(miáo)。探頭(tóu)是(shì)雙恒(héng)電(diàn)位(wèi)儀的(dí)個(gè)工(gōng)作(zuò)電。如果(guǒ)樣品(pǐn)也是(shì)導體,則通常作為第二個工作電。探頭的電位(wèi)控製(zhì)在(zài)由傳質過程(chéng)控製的氧化(huà)或還(huán)原(yuán)的電位(wèi)。而(ér)樣品(pǐn)的(dí)電位(wèi)被控(kòng)製在其逆反應(yīng)的電(diàn)位。由(yóu)於(yú)探(tàn)頭很(hěn)靠近樣(yàng)品(pǐn),探(tàn)頭上的(dí)反應(yīng)產(chǎn)物擴散到樣(yàng)品(pǐn)表麵(miàn)又(yòu)被反(fǎn)應(yīng)成為原始(shǐ)反(fǎn)應物並回到(dào)探頭表麵再作(zuò)用,從而造(zào)成(chéng)電流(liú)的(dí)增加。這(zhè)被(bèi)稱為(wéi)"正(zhèng)反(fǎn)饋"方式。正反(fǎn)饋(kuì)的(dí)程(chéng)度(dù)取(qǔ)決(jué)於探(tàn)頭(tóu)和樣(yàng)品(pǐn)間(jiān)的(dí)距離。如果樣品是絕緣(yuán)體,當探(tàn)頭(tóu)靠近樣品時(shí),反(fǎn)應(yīng)物到電表(biǎo)麵的擴(kuò)散(sàn)流(liú)量受(shòu)到樣(yàng)品(pǐn)的阻礙而造(zào)成電流(liú)的減(jiǎn)少。這被稱為"負反(fǎn)饋"方式。負反(fǎn)饋的程度(dù)亦取(qǔ)決於(yú)探頭和(hé)樣品(pǐn)間的(dí)距(jù)離(lí)。探頭電流和探(tàn)頭(tóu)與(yǔ)導(dǎo)體或絕(jué)緣體(tǐ)樣(yàng)品間的(dí)距離(lí)的關係(xì)可通(tōng)過現有(yǒu)理論計(jì)算得(dé)到(dào)。
基(jī)於以(yǐ)上特性,SECM已(yǐ)在(zài)多(duō)個領域發(fā)現了(liǎo)許多應用。SECM能被用(yòng)於(yú)觀察(chá)樣品表麵的(dí)化(huà)學(xué)或生(shēng)物活性分布,亞單(dān)分子層吸(xī)附的(dí)均匀性(xìng),測(cè)量快(kuài)速異(yì)相電荷傳遞的速度(dù),一級(jí)或(huò)二(èr)級隨後反應(yīng)的速(sù)度,酶-中(zhōng)間(jiān)體催(cuī)化(huà)反應的動力學,膜中(zhōng)離(lí)子(zǐ)擴散(sàn),溶(róng)液(yè)/膜(mó)界(jiè)麵以及液/液界麵(miàn)的(dí)動力學過程。SECM還被(bèi)用於單(dān)分(fēn)子的檢(jiǎn)測,酶(méi)和(hé)脫(tuō)氧核糖核酸(suān)的成像,光合(hé)作用的研(yán)究,腐(fǔ)蝕(shí)研究(jiū),化(huà)學修飾(shì)電(diàn)膜厚(hòu)的(dí)測量(liáng),納米(mǐ)級刻(kè)蝕(shí),沉積和加工(gōng),等(děng)等。SECM的許(xǔ)多應用或(huò)是其(qí)他(tā)方(fāng)法(fǎ)無法(fǎ)取(qǔ)代(dài)的(dí),或是用其(qí)他(tā)方(fāng)法(fǎ)很難實(shí)現的。
CHI900D/920DSECM是CHI900C/920C的改(gǎi)進(jìn)型。儀(yí)器由雙(shuāng)恒(héng)電位儀(yí)/恒電(diàn)流儀,高(gāo)分辨的(dí)三(sān)維定位裝(zhuāng)置,和(hé)樣品(pǐn)/電解池架(jià)子(zǐ)組成。三(sān)維(wéi)定位裝(zhuāng)置采(cǎi)用步(bù)進電(diàn)機(jī)(CHI900D)或(huò)者步(bù)進(jìn)電(diàn)機(jī)與壓電(diàn)晶體(tǐ)的組合(CHI920D),可(kě)允(yǔn)許50毫米的運(yùn)行距(jù)離並(bìng)達(dá)到(dào)納米的(dí)空間分辨(biàn)。與CHI900B/910B采用(yòng)的步(bù)進電(diàn)機相(xiāng)比,新的步進電機的綫(xiàn)性(xìng)度(dù)和分(fēn)辨率(shuài)都明(míng)顯改善(shàn)。步進電(diàn)機(jī)移動平(píng)台的(dí)分辨(biàn)率(shuài)可達(dá)4納米(mǐ)。這(zhè)使得(dé)大部分SECM的(dí)應(yīng)用可(kě)以(yǐ)僅(jǐn)用(yòng)步進電機定(dìng)位(wèi)器(CHI900D)來(lái)實現。從(cóng)而(ér)進(jìn)一步(bù)降低了(liǎo)儀器(qì)的價(jià)格。在(zài)需(xū)要不(bù)斷調整(zhěng)定(dìng)位(wèi)器而達到(dào)電流控製(zhì)或其它(tā)控(kòng)製(zhì)的情況下,可(kě)采(cǎi)用步進電機與壓電晶體(tǐ)閉(bì)環控(kòng)製定位器(qì)的組(zǔ)合(CHI920D)。CHI920D的壓(yā)電晶(jīng)體(tǐ)閉(bì)環(huán)控製定(dìng)位器為XYZ三維(wéi)空(kōng)間。
雙恒電儀集成(chéng)了(liǎo)數字信號(hào)發(fā)生(shēng)器和高分辨(biàn)數據(jù)采集(jí)係(xì)統。電位(wèi)範圍為(wéi)±10V,電流(liú)範圍為±250mA。儀器(qì)的(dí)噪(zào)聲(shēng)低,其電流測(cè)量(liáng)可低(dī)於(yú)1pA。兩(liǎng)個(gè)工作(zuò)電(diàn)的電位可單獨控製,也允許(xǔ)同(tóng)步掃(sǎo)描(miáo)或(huò)階(jiē)躍(yuè)。與CHI900B相(xiāng)比,CHI900D在保持(chí)低噪聲(shēng)的條件下(xià),速度大(dà)為(wéi)提(tí)高(gāo)。信(xìn)號(hào)發(fā)生器的更新(xīn)速(sù)率為(wéi)10MHz,數據采集(jí)采(cǎi)用兩(liǎng)個同(tóng)步(bù)16位(wèi)高(gāo)分辨低噪聲的模數轉換(huàn)器,雙(shuāng)通道同(tóng)時(shí)采樣(yàng)的高速率(shuài)為1MHz。循環伏安(ān)法(fǎ)的(dí)掃描速度為(wéi)1000V/s時,電位(wèi)增量僅(jǐn)0.1mV,當(dāng)掃描(miáo)速度為(wéi)5000V/s時(shí),電(diàn)位(wèi)增(zēng)量為1mV。儀器增(zēng)加(jiā)了交(jiāo)流測量方(fāng)法(fǎ),如交流阻(zǔ)抗的(dí)測量頻率(shuài)可達(dá)1MHz,交流伏(fú)安(ān)法的(dí)頻(pín)率可(kě)達10KHz。CHI900D仍(réng)具備恒電(diàn)流(liú)儀,正(zhèng)反饋(kuì)iR降補償(cháng),用(yòng)於(yú)旋轉電(diàn)轉速控(kòng)製(zhì)的模擬(nǐ)電(diàn)壓輸(shū)出信號(hào)(0-10V),外部信號(hào)輸入(rù)通道(dào),以及一個16位高分辨(biàn)高(gāo)穩定的(dí)電流(liú)偏置電(diàn)路。
除了SECM成(chéng)像(xiàng)以外(wài),儀(yí)器還提供探頭(tóu)掃(sǎo)描曲綫(xiàn),探頭(tóu)逼近曲(qū)綫和(hé)表麵成像處(chǔ)理(lǐ)。探頭可沿(yán)X,Y,或(huò)Z的(dí)方(fāng)向(xiàng)掃描(miáo),探頭和(hé)第二工作電的(dí)電位可獨立控製(zhì)並分別測(cè)量兩個通道的(dí)電流。當電(diàn)流達(dá)到(dào)某(mǒu)一設(shè)定值時,探頭會停止掃描。探(tàn)頭逼近表(biǎo)麵時(shí)采(cǎi)用PID控(kòng)製(zhì),可自動(dòng)調節(jié)移(yí)動步(bù)長使得快(kuài)速逼(bī)近(jìn)但又避免探(tàn)頭碰(pèng)撞(zhuàng)樣品表麵。儀器的控(kòng)製軟件是多用戶界(jiè)麵(miàn)的視窗(chuāng)程序(xù),十分友(yǒu)好易用(yòng)。儀(yí)器(qì)的其(qí)他(tā)特(tè)點(diǎn)還包(bāo)括靈(líng)活(huó)的(dí)實(shí)驗控製,數據分(fēn)析,並(bìng)集(jí)成(chéng)了(liǎo)三(sān)維(wéi)圖(tú)形。除(chú)了(liǎo)電流(liú)檢(jiǎn)測(cè)方式,探(tàn)頭的電位(wèi)也(yě)能(néng)被(bèi)檢測,從(cóng)而(ér)允許用(yòng)電(diàn)位(wèi)法做SECM。儀器(qì)還允許(xǔ)多(duō)種常規電化學測量方(fāng)法。
硬(yìng)件參(cān)數指(zhǐ)標
高(gāo)分辨的(dí)三維定位裝置(zhì): 步進電機(jī)XYZ分(fēn)辨率(shuài):8nm (CHI900D) 步(bù)進電機加(jiā)閉環(huán)壓電晶(jīng)體(tǐ)XYZ分(fēn)辨率(shuài):1.6nm (CHI920D) XYZ移(yí)動(dòng)距離(lí):50 mm
恒(héng)電(diàn)位(wèi)儀/雙(shuāng)恒(héng)電位(wèi)儀 零(líng)阻(zǔ)電流計 2,3,4電結構 浮動地綫或實地(dì) 兩個(gè)通道大(dà)電位範圍: ±10 V 大電(diàn)流:±250 mA 連續(兩(liǎng)個(gè)通(tōng)道電(diàn)流(liú)之(zhī)和(hé)), ±350 mA 峰(fēng)值 槽壓(yā):±13 V 恒電位(wèi)儀(yí)上升時間: 小(xiǎo)於 1 ms, 通(tōng)常 0.8 ms 恒(héng)電位(wèi)儀(yí)帶(dài)寬(kuān)(-3分(fēn)貝):1 MHz 所加(jiā)電位(wèi)範(fàn)圍:±10 mV, ±50 mV, ±100 mV, ±650 mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V 所加(jiā)電(diàn)位(wèi)分(fēn)辨(biàn):電位(wèi)範圍(wéi)的(dí)0.0015% 所加電位準確度(dù): ±1 mV,滿量程的(dí)0.01% 所加(jiā)電位(wèi)噪(zào)聲:< 10 mV 均方(fāng)根植 測量電(diàn)流(liú)範(fàn)圍(wéi):±10 pA 至(zhì)±0.25 A, 12量(liáng)程(chéng) 測量電流(liú)分(fēn)辨:電流量程的0.0015%,0.3 fA 電(diàn)流(liú)測量準(zhǔn)確(què)度(dù):電流靈敏度大於(yú)等(děng)於1e-6 A/V時為(wéi)0.2%,其他量程1% 輸(shū)入(rù)偏(piān)置(zhì)電(diàn)流(liú):< 10 pA
恒電流儀(yí) 恒(héng)電(diàn)流(liú)範圍(wéi): 3 nA -250 mA 加電(diàn)流準確(què)度:如果電(diàn)流大於(yú) 3e-7A時(shí)為(wéi)0.2%,其他範(fàn)圍(wéi)為(wéi)1%,±20 pA 所加(jiā)電(diàn)流分(fēn)辨率(shuài):電(diàn)流(liú)範(fàn)圍(wéi)的0.03% 測量電流範(fàn)圍: ±0.025 V,±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V
Electrometer: 電(diàn)位計 參(cān)比電輸入阻(zǔ)抗(kàng):1e12 歐(ōu)姆 參比電(diàn)輸入帶寬(kuān): 10 MHz 參比電輸入偏置(zhì)電(diàn)流(liú):<= 10 pA @ 25°C
波(bō)形發生和數據(jù)獲(huò)得係(xì)統 快(kuài)速(sù)信(xìn)號發生更(gēng)新(xīn)速率(shuài):10 MHz, 16位分(fēn)辨 快(kuài)速數據(jù)采(cǎi)集係統:16位分辨,雙通道(dào)同步采樣,采(cǎi)樣(yàng)速率每(měi)秒(miǎo)1,000,000 點(diǎn) 外(wài)部(bù)信(xìn)號(hào)記(jì)錄通道高采(cǎi)樣(yàng)速率(shuài)1M Hz
其他(tā)特點 自動(dòng)或手(shǒu)動iR降(jiàng)補償(cháng) 電(diàn)流測量偏(piān)置(zhì):滿量程,16位分辨,0.003% 準(zhǔn)確度(dù) 電位測量(liáng)偏(piān)置(zhì):±10V,16位分(fēn)辨,0.003% 準確(què)度(dù) 外部(bù)電位輸入 電位和電流的模(mó)擬(nǐ)輸(shū)出 可控(kòng)電位(wèi)濾波(bō)器的截(jié)止頻率: 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 可(kě)控信(xìn)號濾波(bō)器的截止頻率: 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 旋(xuán)轉電控製電壓(yā)輸出:0-10V 對(duì)用於 0-10000 rpm的轉速16位(wèi)分辨(biàn),0.003% 準確(què)度(dù),需(xū)要某些旋(xuán)轉(zhuǎn)電裝(zhuāng)置(zhì)才(cái)能工作 通過(guò)宏命(mìng)令可以(yǐ)控(kòng)製數字輸(shū)入輸出(chū)綫 內(nèi)閃(shǎn)存儲(chǔ)器可迅速(sù)更(gēng)新(xīn)程(chéng)序 串(chuàn)行(háng)口(kǒu)或USB口(kǒu)數據(jù)通訊 電(diàn)解池(chí)控製:通(tōng)氮,攪拌,敲擊(需要特殊(shū)電解(jiě)池係統) CV數字模擬器(qì)和擬(nǐ)合(hé)器。用戶(hù)定義(yì)反應機理 交流阻(zǔ)抗(kàng)模擬器(qì)和擬合器 探頭(tóu)逼(bī)近曲綫的模擬和(hé)擬合(hé) 大數據(jù)長度(dù):256,000-16,384,000 點可(kě)選擇 儀器(qì)尺寸(cùn): 37 cm (寬) ´ 23 cm (深) ´ 12 cm (高) 儀器重量: 7 kg | 實驗技(jì)術
掃(sǎo)描探(tàn)頭(tóu)技(jì)術: 表(biǎo)麵成(chéng)象處(chǔ)理(lǐ) (SPC) 探(tàn)頭(tóu)掃(sǎo)描曲(qū)綫 (PSC,X,Y,Z方向) 探頭逼近(jìn)曲(qū)綫 (PAC) 掃描電(diàn)化學顯(xiǎn)微鏡(jìng) (SECM) PSC和SECM允許(xǔ)電流,電位,常(cháng)電流,阻抗檢(jiǎn)測(cè)
電(diàn)位掃描技術(shù): 循(xún)環伏安法 (CV) 綫性(xìng)掃描伏(fú)安(ān)法 (LSV) TAFEL圖 (TAFEL)
電位階躍和脈衝技(jì)術(shù): 計(jì)時電(diàn)流法(fǎ) (CA) 計時電量法 (CC) 階梯(tī)波伏(fú)安法 (SCV) 差分脈(mài)衝伏(fú)安(ān)法 (DPV) 常(cháng)規脈衝伏(fú)安(ān)法 (NPV) 差分(fēn)常(cháng)規(guī)脈衝(chōng)伏安法(fǎ) (DNPV) 方(fāng)波伏安法(fǎ) (SWV)
交(jiāo)流(liú)技(jì)術: 交流(liú)伏安法 (ACV) 二次諧波交(jiāo)流(liú)伏(fú)安(ān)法(fǎ) (SHACV) 傅裏葉變換(huàn)交流伏安法 (FTACV) 交(jiāo)流阻抗(kàng) (IMP) 交流(liú)阻(zǔ)抗(kàng)-電(diàn)位 (IMPE) 交(jiāo)流阻抗-時間(jiān) (IMPT)
恒電(diàn)流(liú)技(jì)術(shù): 計時電位(wèi)法 (CP) 電流(liú)掃描計時電(diàn)位法(fǎ) (CPCR) 多電流(liú)階躍 (ISTEP) 電位溶(róng)出分(fēn)析(xī) (PSA)
其(qí)它電化(huà)學測量技術(shù): 時(shí)間-電流曲綫(xiàn) (i-t) 差分脈(mài)衝(chōng)安培(péi)法 (DPA) 雙差(chà)分脈(mài)衝安培法 (DDPA) 三脈衝安培法(fǎ) (TPA) 積(jī)分(fēn)脈(mài)衝(chōng)電流檢(jiǎn)測(cè) (IPAD) 掃描(miáo)-階躍(yuè)混和方(fāng)法 (SSF) 多電(diàn)位(wèi)階(jiē)躍 (STEP) 流體力學(xué)調(tiáo)製(zhì)伏(fú)安法(fǎ) (HMV) 控(kòng)製(zhì)電位(wèi)電解(jiě)庫(kù)侖(lún)法(fǎ) (BE) 電化學噪聲(shēng)測量 (ECN) 各(gè)種溶出(chū)伏安(ān)法(fǎ) 開路(lù)電位(wèi)-時間曲綫(xiàn) (OCPT)
實驗參數(shù) CV和LSV掃描速(sù)度(dù): 0.000001V/s 至(zhì) 10,000 V/s,雙通(tōng)道(dào)同(tóng)步掃描(miáo)及(jí)采樣至(zhì)10,000 V/s 掃描時的電位增量:0.1 mV (當(dāng)掃速(sù)為 1,000 V/s時(shí)) CA和CC的脈衝寬(kuān)度(dù): 0.0001 至(zhì) 1000 sec CA的小采樣間(jiān)隔: 1 ms, 雙通(tōng)道同步 CC的小(xiǎo)采樣(yàng)間隔(gé): 1 ms CC模擬積分器(qì) DPV和(hé)NPV的脈(mài)衝寬度(dù):0.001 至 10 sec SWV頻率(shuài): 1 至 100 kHz i-t 的(dí)小(xiǎo)采(cǎi)樣間(jiān)隔: 1 ms, 雙通道同步 ACV頻(pín)率(shuài)範(fàn)圍(wéi):0.1 至 10 kHz SHACV頻率範(fàn)圍(wéi):0.1 至 5 kHz FTACV頻率範圍:0.1 至 50Hz,可同(tóng)時(shí)獲(huò)取(qǔ)基波(bō),二(èr)次諧(xié)波(bō),三次諧(xié)波,四次(cì)諧(xié)波(bō),五次(cì)諧(xié)波,六(liù)次諧波(bō)的ACV數據 交(jiāo)流(liú)阻(zǔ)抗: 0.00001 至 1 MHz 交流阻抗波形幅(fú)度: 0.00001 V 至 0.7 V 均(jūn)方(fāng)根(gēn)值(zhí) |
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