武漢(hàn)科思特電(diàn)化(huà)學工(gōng)作(zuò)站(zhàn)CS350M采用全浮地(dì)式設(shè)計，具有出色的穩定(dìng)性(xìng)和(hé)度，*硬件(jiàn)和 功能*的軟(ruǎn)件(jiàn)，為(wéi)涉(shè)及(jí)能(néng)源(yuán)，材料(liào)，生命(mìng)科(kē)學，環保(bǎo)等領域(yù)的(dí)科技工(gōng)作者提供了的(dí)科 研平台。應(yīng)用領域包括(kuò)：

（1）能源材料（鋰離(lí)子(zǐ)電(diàn)池，太(tài)陽 能電池，燃料(liào)動(dòng)力(lì)電池(chí)和(hé)超級電容器等） *功能材料以(yǐ)及傳(chuán)感(gǎn)器(qì)的(dí)性(xìng)能(néng)研究(jiū)；

（2）電(diàn)化學(xué)分(fēn)析研究(jiū)；

（3）電合(hé)成(chéng)，電沉(chén)積(jī)（電(diàn)鍍(dù)），陽(yáng) 氧(yǎng)化，電解等反(fǎn)應機理(lǐ)研(yán)究；

（4）金屬材料的腐(fǔ)蝕(shí)行為(wéi)研究與耐 蝕性評價(jià)；

（5）緩(huǎn)蝕劑，水質穩定劑(jì)，塗(tú)層(céng)以及(jí)陰(yīn)保(bǎo)護效(xiào)率的(dí)快(kuài)速(sù)評價(jià)。

武漢(hàn)科(kē)思特電化(huà)學工作(zuò)站CS350M主要技術(shù)指標：

1，硬件參數指標

恒(héng)電(diàn)位(wèi)電位控製(zhì)範圍：±10V

恒(héng)電流控製範圍：±2.0A

電位(wèi)控製精(jīng)度：0.1%×滿量(liáng)程讀數±1mV

電流控(kòng)製精度：0.1%×滿量程(chéng)讀(dú)數(shù)

電(diàn)位分辨率：10V(>100Hz), 3V(<10Hz)

電流靈(líng)敏度：1pA

電(diàn)位上(shàng)升時間：<1S(<10mA),<10S(<2A)

參比電輸(shū)入(rù)阻(zǔ)抗：1012||20pF

電流(liú)量(liáng)程：2nA～2 A ， 共 10 檔

槽壓(yā)：±21V

大輸出電(diàn)流：2.0A CV 和(hé)LSV

掃(sǎo)描(miáo)速度(dù)：0.001mV～10000V/s

CA 和(hé) CC 脈(mài)衝寬(kuān)度：0.0001～65000s

電流掃描增量：1mA @1A/mS

電位(wèi)掃(sǎo)描時(shí)電位(wèi)增量：0.076mV @1V/mS SWV

頻(pín)率(shuài)：0.001～100KHz DPV 和 NPV

脈衝寬度(dù)：0.0001～1000s

AD數(shù)據采集：16bit@3.6MHz,20bit@1KHz DA

分辨率：16bit,

建(jiàn)立時間：1S

CV 的小電位(wèi)增量：0.020mV IMP

頻率：10Hz~1MHz

低通濾波器(qì)：8 段(duàn)可(kě)編(biān)程

電流(liú)與電位量程：自動設置

接(jiē)口通訊模(mó)式：USB2.0，RJ45 網(wǎng)口

2，電(diàn)化學(xué)阻抗(kàng)功(gōng)能指標(biāo)

信號發生器：

頻(pín)率響應：10Hz~1MHz

頻率度：0.005%

交(jiāo)流信(xìn)號幅值：1mV~2500mV

信號分辨(biàn)率：0.1mV RMS

直流偏(piān)壓(yā)：-10~+10V DDS

輸出阻抗：50

波(bō)形(xíng)：正(zhèng)弦(xián)波，三(sān)角波，方(fāng)波(bō)

正弦波(bō)失(shī)真(zhēn)：<1%

掃描(miáo)方式：對(duì)數(shù)/綫(xiàn)性，增(zēng)加(jiā)/下(xià)降

信(xìn)號分析(xī)器(qì)：

小積分時間(jiān)：10mS 或(huò)循(xún)環的(dí)長時間(jiān)

大積(jī)分(fēn)時間：106個循環(huán)或(huò)者 105S

測量(liáng)時(shí)間延遲：0~105秒

直流偏(piān)置補償(cháng)：

電(diàn)位(wèi)自(zì)動補償範(fàn)圍：-10V~+10V

電(diàn)流補償範圍：-1A~+1A

帶(dài)寬調整(Bandwidth) ： 自動(dòng)或手動設置(zhì)，共 8 級可調

3，儀器(qì)功(gōng)能(néng)方法：

穩態(tài)化：開(kāi)路電(diàn)位(wèi)測量（OCP），恒(héng)電(diàn)位(wèi)化（I-t 曲(qū)綫)，恒電(diàn)流化(huà)，動(dòng)電(diàn)位掃(sǎo)描（TAFEL 曲綫(xiàn)），動電流(liú)掃描（DGP），電(diàn)位掃(sǎo)描-階躍

暫態化：任意恒電(diàn)位階(jiē)梯波，任意(yì)恒電流階梯波，恒電位階(jiē)躍(yuè)（VSTEP），恒(héng)電流(liú)階躍

計時分(fēn)析：計時電位法(fǎ)（CP），計時(shí)電(diàn)流法(fǎ)（CA），計時(shí)電量法(fǎ)（CC）

伏安分析：綫(xiàn)性掃描伏(fú)安法（LSV）#，綫性(xìng)循環(huán)伏安法（CV），階(jiē)梯循環(huán)伏(fú)安(ān)法（SCV）#， 方波伏安法(fǎ)（SWV）#，差分脈衝(chōng)伏(fú)安法（DPV）#，常規(guī)脈衝伏安法(fǎ)（NPV）#， 常規(guī)差分脈衝伏安(ān)法（DNPV）#，差分(fēn)脈(mài)衝(chōng)電流檢(jiǎn)測法（DPA），雙(shuāng)差分(fēn)脈(mài)衝電 流(liú)檢測法(fǎ)（DDPA），三脈衝(chōng)電流檢測(cè)法（TPA），積分脈(mài)衝(chōng)電(diàn)流檢(jiǎn)測法(fǎ)（IPAD）， 交流伏安法（ACV）#，二(èr)次諧波交流(liú)伏安（SHACV），傅裏(lǐ)葉變換(huàn)交(jiāo)流(liú)伏(fú)安 （FTACV）（標(biāo)#號(hào)的(dí)方法包(bāo)括(kuò)相(xiāng)應的(dí)溶出伏安(ān)分析(xī)方法）

交流阻抗：電化學阻(zǔ)抗(kàng)（EIS）～頻率掃描(miáo)，電化學(xué)阻抗（EIS）～時間(jiān)掃描，電化學阻(zǔ)抗 （EIS）～電位(wèi)掃描(miáo)（Mott-Schottky 曲(qū)綫），恒電流阻抗測試(shì)

充放電(diàn)測試：電池(chí)充放電，恒(héng)電流充(chōng)放(fàng)電，恒電(diàn)位(wèi)充放電，恒電(diàn)流(liú)間(jiān)歇滴定 GITT，恒(héng)電(diàn)位 間歇滴(dī)定 PITT

擴展(zhǎn)測量(liáng)：電化(huà)學(xué)噪(zào)聲（EN），電(diàn)偶腐(fǔ)蝕測量（ZRA），電(diàn)化(huà)學(xué)溶解(jiě)/沉積，控(kòng)製電位(wèi)電(diàn)解(jiě) 庫(kù)侖(lún)法（BE），溶液電(diàn)阻測(cè)量(liáng)，循(xún)環化(huà)曲(qū)綫

4，儀(yí)器(qì)配置：

1）儀(yí)器(qì)主機(jī) 1 台(tái)

2）測試(shì)與分析軟件 1 套

3）電(diàn)源綫(xiàn)/USB 數據綫/電(diàn)電(diàn)纜綫(xiàn)各(gè) 1 條

4）模(mó)擬電解池(chí) 1 個(gè)