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武漢(hàn)科思特電(diàn)化學工作站

簡(jiǎn)要描(miáo)述:武(wǔ)漢(hàn)科(kē)思(sī)特(tè)電化學工作站(zhàn)±2A電流(liú)範圍(可(kě)擴展(zhǎn)至5A,20A) ±10V電(diàn)壓範(fàn)圍(wéi)(可(kě)擴(kuò)展(zhǎn)至50V) ±21V槽(cáo)壓範(fàn)圍(可擴展至(zhì)200V) 全浮地(dì)式測量(liáng) 自(zì)由組合測試

產(chǎn)品(pǐn)型(xíng)號: CS350H

所屬分類:武漢科思特電化學(xué)工作(zuò)站

更(gēng)新(xīn)時間:2023-08-02

廠商(shāng)性(xìng)質:經(jīng)銷(xiāo)商

詳(xiáng)情介紹
品牌其他(tā)品(pǐn)牌電位精度(dù)0.1%×滿(mǎn)量(liáng)程讀數±1mV
恒(héng)電位(wèi)範圍(wéi)±2.0v電(diàn)流(liú)範圍2nA~2AmA
交流阻(zǔ)抗(kàng)頻率範(fàn)圍無(wú)Hz電流(liú)精(jīng)度0.1%×滿(mǎn)量(liáng)程讀數(shù)
產地類別國產價格區間(jiān)麵(miàn)議
儀器(qì)種類電化(huà)學工(gōng)作(zuò)站應(yīng)用領(lǐng)域醫療衛(wèi)生(shēng),化工(gōng),生(shēng)物(wù)產業,能源(yuán),電(diàn)子/電池
恒(héng)電(diàn)位(wèi)控製範(fàn)圍(wéi)±10V恒電(diàn)流(liú)控製範(fàn)圍±2.0A
電位控(kòng)製精(jīng)度:0.1%×滿量程讀(dú)數(shù)±1mV電流(liú)控(kòng)製精(jīng)度(dù):0.1%×滿量程(chéng)讀(dú)數
電位(wèi)靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)電(diàn)流(liú)靈敏度(dù):1pA
電(diàn)位上升(shēng)時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)電(diàn)流(liú)量程(chéng):2nA~2A, 共(gòng)10檔
參比(bǐ)電極(jí)輸入阻抗:1012Ω||20pF最大(dà)輸出電流(liú):2.0A
槽(cáo)壓(yā)輸出(chū):±21V (可擴(kuò)展至±200V)電流(liú)掃描增(zēng)量:1mA @1A/mS
CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s電(diàn)位掃描電位增(zēng)量(liáng):0.076mV @1V/mS
CA和CC脈衝(chōng)寬度:0.0001~65000sDPV和(hé)NPV脈衝(chōng)寬度(dù):0.0001~1000s
SWV頻(pín)率(shuài):0.001~100KHzCV的最(zuì)小電(diàn)位增量:0.075mV
AD數(shù)據采(cǎi)集:16bit@1MHz,20bit @1KHz電流與電位量程(chéng):自動設(shè)置
DA分辨率(shuài):16bit,建(jiàn)立時間:1μS低(dī)通濾波器 :8段可編程(chéng)
通(tōng)訊(xùn)接(jiē)口:USB2.0儀(yí)器重量:6.5Kg
外(wài)形(xíng)尺(chǐ)寸(cùn)(cm):336.4(W)X32.0(D)X16.0 (H)

1. 產品(pǐn)介(jiè)紹

 CS電(diàn)化學(xué)工作(zuò)站采(cǎi)用全浮地式設(shè)計,具有出(chū)色的穩(wěn)定(dìng)性和度,*硬(yìng)件(jiàn)和功能*的軟件,為(wéi)涉(shè)及(jí)能(néng)源,材料,生(shēng)命科學(xué),環(huán)保等領(lǐng)域的(dí)科(kē)技工作者(zhě)提供(gōng)了(liǎo)的科研平台。

應用(yòng)
1)電(diàn)合成,電(diàn)沉積(jī)(電(diàn)鍍),陽氧化,電解(jiě)等(děng)反(fǎn)應(yīng)機理(lǐ)研(yán)究(jiū);
2)電(diàn)化學分析(xī)研究;
3)能(néng)源(yuán)材料(鋰離(lí)子電池,太陽(yáng)能電(diàn)池,燃(rán)料動力電(diàn)池和(hé)超級(jí)電容器(qì)等(děng)),*功(gōng)能(néng)材(cái)料以及(jí)傳感器(qì)的性能研究(jiū);
4)金屬材料的腐蝕行為(wéi)研(yán)究(jiū)與耐蝕性(xìng)評價(jià);
5)緩(huǎn)蝕(shí)劑(jì),水質穩定劑,塗(tú)層(céng)以及陰保護效(xiào)率的快(kuài)速評價(jià)。

硬件特點

雙(shuāng)通道相關分(fēn)析器和(hé)雙通道(dào)高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

高帶寬高輸入(rù)阻抗的(dí)放大(dà)器(qì)

內置FPGA DDS信(xìn)號(hào)合(hé)成器(qì)

高功率恒(héng)電(diàn)位儀/恒電流儀/零電阻(zǔ)電流計(jì)

電壓(yā)控(kòng)製(zhì)範(fàn)圍(wéi):±10V,槽壓為(wéi)±21V(可(kě)擴(kuò)展至±200V

電流控製範圍(wéi):±2.0A(可擴(kuò)展(zhǎn)至(zhì)20A

電(diàn)位(wèi)分辨(biàn)率:10μV,電流分辨率(shuài):1pA(可(kě)延(yán)伸至100fA  

軟件特點(diǎn)

① 數據分析

 伏(fú)安曲綫的(dí)平滑,積(jī)分(fēn)和(hé)微(wēi)分運(yùn)算(suàn),計算(suàn)各氧化還原峰的(dí)峰電(diàn)流,峰電位和峰麵(miàn)積(jī)等;

化(huà)曲綫(xiàn)的三參(cān)數或(huò)四參數動(dòng)力學解(jiě)析,計算Tafel斜率(shuài)babc,腐(fǔ)蝕電(diàn)流密度(dù)icorr,限(xiàn)擴(kuò)散電流(liú),化電(diàn)阻Rp和腐(fǔ)蝕速率等(děng),還(huán)可由電化(huà)學(xué)噪聲(shēng)譜計(jì)算功率譜(pǔ)密度(dù),噪聲電(diàn)阻Rn和譜噪(zào)聲(shēng)電阻Rsn(f)

② 實(shí)時(shí)存(cún)儲

 CS Studio實(shí)時存儲測量數(shù)據(jù),即(jí)使因斷(duàn)電導(dǎo)致測試(shì)中(zhōng)斷,中斷之前的數據(jù)也會(huì)自動保存(cún)。

③ 定(dìng)時(shí)測量

 CS Studio測試軟件(jiàn)具有(yǒu)定時測(cè)量功(gōng)能, 對於(yú)某些需(xū)要研(yán)究體係(xì)隨(suí)時(shí)間(jiān)變(biàn)化特(tè)征(zhēng)時(shí),可(kě)提前(qián)設好(hǎo)測(cè)試(shì)參數(shù)與間隔時間,讓(ràng)儀器在無人值守下自動定時測量,為實(shí)驗提供(gōng)方便(biàn)。

技術優勢

① 化曲(qū)綫(xiàn)

具有(yǒu)綫性化(huà)和Tafel化(huà)曲綫測(cè)量功能(néng),用戶可設定循(xún)環化曲(qū)綫的陽回(huí)掃電(diàn)流(鈍(dùn)化(huà)膜擊穿電(diàn)流),來(lái)確(què)定材(cái)料(liào)的點(diǎn)蝕電位和保(bǎo)護電位,評價晶(jīng)間(jiān)腐蝕(shí)敏感性(xìng)。軟(ruǎn)件采用(yòng)非綫性擬合算法(fǎ)解析化(huà)曲綫,可用(yòng)於(yú)材料耐蝕性和緩(huǎn)蝕(shí)劑(jì)性能的(dí)快速評價。

伏(fú)安(ān)分析

 能完(wán)成綫性(xìng)掃描伏(fú)安(LSV),循環(huán)伏安(CV),階梯伏安(SCV),方(fāng)波伏安(SWV),差分脈衝伏(fú)安(DPV),交流(liú)伏安(ACV),溶出伏安等多(duō)種電(diàn)分析(xī)方(fāng)法,集成峰麵積(jī),峰電流計算和(hé)標準曲綫分析(xī)功能(néng)。

 ③ 電化學噪聲(shēng)

采用(yòng)高(gāo)阻跟(gēn)隨(suí)器和零(líng)阻(zǔ)電(diàn)流(liú)計測量腐蝕體係自(zì)發的電位(wèi)與(yǔ) 電流(liú)波動,可(kě)用於點(diǎn)蝕(shí),電偶腐(fǔ)蝕,縫(féng)隙(xì)腐(fǔ)蝕(shí)和應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂(liè) 等(děng)局(jú)部腐蝕(shí)研究(jiū)。通過噪(zào)聲(shēng)譜分析,可(kě)評估亞穩態蝕點或裂(liè)紋的誘導(dǎo),生長和死(sǐ)亡(wáng)過程。基(jī)於噪聲電(diàn)阻和點蝕(shí)指(zhǐ)數計(jì)算,也可用於局部(bù)腐(fǔ)蝕(shí)監測。

 功率擴展
       CS係列(liè)電化(huà)學工(gōng)作站(zhàn)的電(diàn)流(liú)控製(zhì)範圍為(wéi)±2.0A,槽壓輸出(chū)≥21V,可滿足燃(rán)料(liào)動力電池,大功率電池(chí)充(chōng)放(fàng)電(diàn),電化(huà)學(xué)電(diàn)解(jiě)或電(diàn)沉(chén)積(jī)等領(lǐng)域的(dí)需(xū)求。采用(yòng)專用的(dí)功率(shuài)擴(kuò)展器,大輸出電(diàn)流(liú)可(kě)達(dá)20A,槽(cáo)壓(yā)±200V
 ⑤全(quán)浮(fú)地(dì)測量
       CS係(xì)列電化學工作站采(cǎi)用(yòng)全(quán)浮地(dì)式(shì)工作(zuò)電,可用於工(gōng)作(zuò)電本身接地(dì)體(tǐ)係的(dí)電(diàn)化學研(yán)究(jiū),如(rú)用於(yú)高壓(yā)釜(fǔ)電(diàn)化(huà)學測(cè)試(shì)(釜體接(jiē)地),大地中(zhōng)金(jīn)屬構件(橋(qiáo)梁(liáng),混凝(níng)土(tǔ)鋼(gāng)筋(jīn))的在綫(xiàn)腐蝕研究等。
光(guāng)電(diàn)測試模塊(kuài)
       CS電化學工作站(zhàn)可以與光(guāng)強(qiáng)計,分(fēn)光(guāng)光(guāng)度(dù)計聯用,用(yòng)於光(guāng)電(diàn)化學測(cè)量,在進(jìn)行電化學測量的(dí)同(tóng)時記(jì)錄光電流或(huò)光譜響應(yīng)信號(hào)。
自定(dìng)義(yì)方法
       支持(chí)用戶(hù)自定義(yì)組(zǔ)合(hé)測(cè)量,用(yòng)戶(hù)可以(yǐ)設定定時循環進行(háng)某(mǒu)一測(cè)試方(fāng)法或多(duō)種方法的組合測試(shì),用於無人值守下的定時(shí)自(zì)動測量;
       提供(gōng)API通(tōng)用(yòng)接口函數(shù)和開(kāi)發(fā)實(shí)例,方(fāng)便用(yòng)戶二次(cì)開發和(hé)自(zì)定義(yì)測試方(fāng)法;
       提供(gōng)用戶自定(dìng)義(yì)腳本(běn)編(biān)寫(xiě)範例,用於實(shí)現您*的電化(huà)學(xué)實(shí)驗技術。

1. 技術(shù)參(cān)數

硬件參數指(zhǐ)標

 恒電位控製範圍(wéi):±10V

 恒(héng)電流控(kòng)製範圍(wéi):±2.0A

 電(diàn)位(wèi)控(kòng)製(zhì)精度(dù):0.1%×滿量程讀(dú)數±1mV

 電(diàn)流(liú)控(kòng)製(zhì)精度:0.1%×滿量程(chéng)讀數

 電位(wèi)靈(líng)敏度(dù):10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

 電流(liú)靈敏度(dù):1pA

 電(diàn)位上(shàng)升時(shí)間(jiān):﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

 電流量(liáng)程(chéng):2nA2A, 10檔(dàng)

 參比電輸(shū)入(rù)阻抗(kàng):1012Ω||20pF

 大(dà)輸出電流(liú):2.0A

 槽壓輸出:±21V (可擴(kuò)展至±200V)

 電(diàn)流掃描增(zēng)量(liáng):1mA @1A/mS

 CVLSV掃描速(sù)度(dù):0.001mV10000V/s

 電位(wèi)掃(sǎo)描電(diàn)位(wèi)增量:0.076mV @1V/mS

 CACC脈衝(chōng)寬度:0.000165000s

 DPV和(hé)NPV脈(mài)衝寬(kuān)度:0.00011000s

 SWV頻率(shuài):0.001100KHz

 CV的小電位(wèi)增量:0.075mV

 AD數據采集(jí):16bit@1MHz20bit @1KHz

 電(diàn)流與電(diàn)位量程:自動(dòng)設置

 DA分(fēn)辨率(shuài):16bit,建(jiàn)立時間:1μS

 低通(tōng)濾(lǜ)波器(qì) :8段可(kě)編程(chéng)

 通訊(xùn)接(jiē)口:USB2.0

 儀器重(zhòng)量:6.5Kg

 外形(xíng)尺(chǐ)寸(cm):36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)


 

配置
1)儀器主機(jī)1台(tái)
2CS Studio測試與分(fēn)析(xī)軟(ruǎn)件1套(tào) 
3)模擬電解池1 
4)電源綫(xiàn)/USB數據綫各(gè)1
5)電電(diàn)纜綫1條(tiáo)
6)電(diàn)腦(nǎo)(選配*

2. 功能(néng)方法(fǎ)

CS單(dān)通道係列不同型號(hào)功(gōng)能方法(fǎ)比(bǐ)較(jiào)

功能(néng)方法(fǎ)

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩態化

 開路電位(OCP

 恒(héng)電位化(huà)(i-t曲綫)

 恒(héng)電(diàn)流化

 動電(diàn)位掃描(Tafel曲綫(xiàn))

 動(dòng)電流掃描(miáo)(DGP

 電位(wèi)掃描-階(jiē)躍




暫態(tài)化

 任(rèn)意(yì)恒電位(wèi)階梯波

 任(rèn)意恒電流階梯波(bō)

 恒電(diàn)位階(jiē)躍(VSTEP

 恒電流階躍(yuè)(ISTEP

計(jì)時(shí)分析

 計時電位法(CP


 計時(shí)電流法(CA


 計(jì)時(shí)電量(liáng)法(CC


伏(fú)安(ān)分(fēn)析

 綫性掃(sǎo)描(miáo)伏(fú)安(ān)(LSV

 綫(xiàn)性(xìng)循環伏安(CV

 階(jiē)梯循(xún)環(huán)伏安(ān)(SCV



 方(fāng)波(bō)伏安(SWV



 差(chà)分(fēn)脈(mài)衝伏(fú)安(DPV



 常規脈衝伏(fú)安(ān)(NPV



 差(chà)分(fēn)常(cháng)規(guī)脈衝伏(fú)安(ān)(DNPV



 交流(liú)伏安(ACV



 二次諧波交流(liú)伏(fú)安(ān)(SHACV



 傅裏(lǐ)葉變(biàn)換(huàn)交(jiāo)流(liú)伏安(ān)(FTACV



電流(liú)檢(jiǎn)測(cè)

 差分(fēn)脈衝電(diàn)流(liú)檢(jiǎn)測(DPA




 雙差分(fēn)脈衝(chōng)電流(liú)檢測(cè)(DDPA




 三(sān)脈(mài)衝(chōng)電(diàn)流(liú)檢(jiǎn)測(cè)(TPA




 積(jī)分(fēn)脈衝(chōng)電流(liú)檢(jiǎn)測(IPAD




溶出伏安

 電位溶(róng)出(chū)分析(xī)(PSA



 綫(xiàn)性掃描溶(róng)出(chū)伏(fú)安(ān)(LSSV



 階梯溶出(chū)伏安(SCSV



 方波(bō)溶(róng)出伏(fú)安(ān)(SWSV



 差(chà)分(fēn)脈(mài)衝(chōng)溶出伏安(DPSV



 常規脈(mài)衝溶(róng)出伏(fú)安(NPSV



 差(chà)分(fēn)常(cháng)規(guī)脈(mài)衝溶(róng)出伏(fú)安(ān)(DNPSV



交流阻抗(kàng)

 阻(zǔ)抗-頻率掃(sǎo)描



 阻(zǔ)抗-時間掃(sǎo)描



 阻(zǔ)抗-電(diàn)位掃描(miáo)(Mott-Schottky 曲綫)



充(chōng)放(fàng)電(diàn)測(cè)試(shì)

 電池(chí)充放電(diàn)

 恒電流充(chōng)放電(diàn)(GCD

 恒(héng)電位充(chōng)放(fàng)電

 恒電位(wèi)間歇滴定(dìng)技(jì)術(PITT

 恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT

雙恒(héng)測量(liáng)

 氫擴散測試(HDT





 盤環電(diàn)測(cè)試(shì)





擴展(zhǎn)測量

 電(diàn)化學噪聲(EN

 數(shù)字記錄(lù)儀(yí)

 電化學(xué)溶解(jiě)/沉積

 控製電位電(diàn)解(jiě)庫(kù)倫法(BE

 動(dòng)電位(wèi)再活(huó)化法(EPR

 溶(róng)液電(diàn)阻測量

 循環化(huà)曲綫(xiàn)(CPP

 

注(zhù):

*氫擴散及旋轉(zhuǎn)盤環電測(cè)試(shì)需配置(zhì)CS1002恒電位/恒電(diàn)流(liú)儀或采(cǎi)用(yòng)CS2350雙(shuāng)恒(héng)電(diàn)位(wèi)儀。
*光電(diàn)測(cè)量(liáng)功(gōng)能用戶選(xuǎn)配。
*產品(pǐn)3年質保。



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