您的(dí)位(wèi)置(zhì)：光焱量子(zǐ)科(kē)技激光(guāng)掃(sǎo)描缺(quē)陷測繪係統
簡(jiǎn)要(yào)描述(shù)：光焱(yàn)量子科技激光掃(sǎo)描(miáo)缺陷測(cè)繪係(xì)統激光(guāng)掃描(miáo)缺(quē)陷(xiàn)影(yǐng)像(xiàng)儀，是(shì)激光(guāng)束誘導電(diàn)流測試（LBIC）的升(shēng)級版，利用波長(cháng)能(néng)量(liáng)大(dà)於半(bàn)導體能隙大的激光束(shù)，照射在半導(dǎo)體後(hòu)產生(shēng)的(dí)電子(zǐ)-空穴對，通過快(kuài)速的掃描(miáo)樣品表(biǎo)麵，獲得(dé)影(yǐng)像分(fēn)布，可(kě)以得到(dào)內(nèi)部(bù)電流的(dí)變化來了(liǎo)解分(fēn)析(xī)各種(zhǒng)的(dí)缺陷分布(bù)，幫助分析樣(yàng)品製備(bèi)質量(liáng)以及幫(bāng)助工藝(yì)改進(jìn)。
產品型號(hào)： LSD4
所屬分類(lèi)：光焱量子效(xiào)率(shuài)測(cè)量係(xì)統(tǒng)
更新時(shí)間：2023-08-03
廠商性質(zhì)：經銷(xiāo)商
| 品(pǐn)牌 | 其(qí)他品牌(pái) | 應(yīng)用領域 | 醫(yī)療(liáo)衛(wèi)生(shēng),化(huà)工,生(shēng)物產業,能源(yuán),電(diàn)子/電(diàn)池(chí) |
|---|
ENLI LSD4 激光掃(sǎo)描缺陷測繪(huì)係(xì)統 產(chǎn)品(pǐn)敘(xù)述(shù)
激(jī)光(guāng)掃描(miáo)缺陷(xiàn)影(yǐng)像(xiàng)儀(yí)，是(shì)激光束誘導電流測(cè)試（LBIC）的(dí)升級版，利用(yòng)波長(cháng)能量大於半導體能(néng)隙大的(dí)激(jī)光(guāng)束，照射(shè)在(zài)半(bàn)導體(tǐ)後(hòu)產(chǎn)生的電子-空穴(xué)對，通過(guò)快(kuài)速(sù)的掃描樣品表麵，獲得影像(xiàng)分布，可(kě)以(yǐ)得(dé)到內部(bù)電流(liú)的變化來了解分(fēn)析各(gè)種的缺陷分布，幫(bāng)助分析樣品(pǐn)製備(bèi)質量以及幫助工(gōng)藝改(gǎi)進(jìn)。
ENLI LSD4 激(jī)光掃(sǎo)描(miáo)缺陷(xiàn)測(cè)繪(huì)係統 規格
| 型(xíng)號 | 項目(mù) | 規(guī)格 |
|---|---|---|
| 1-1 | 激(jī)發波長(cháng) | a. 405 ± 5 nm（高可擴充(chōng)至 4 個(gè)雷射） b. 多波長切(qiē)換設計 c. 可(kě)軟(ruǎn)件(jiàn)控製(zhì)輸(shū)出(chū)波長 |
| 1-2 | 激光光點 | a. TEM00 光(guāng)斑(bān) b. 單(dān)一(yī)波(bō)長光(guāng)斑 < 100 um c. 全係列波(bō)長 < 200 um |
| 1-3 | 掃(sǎo)描範(fàn)圍(wéi) | a. 掃(sǎo)描麵積：10 cm x 10 cm b. 可客(kè)製超(chāo)過(guò) 16 cm x 16 cm之掃描範(fàn)圍 |
| 1-4 | 掃描分(fēn)辨率(shuài) | a. 掃描(miáo)分(fēn)辨(biàn)率 - 10 um, ? 20 mm x 20 mm - 50 um, ? 100 mm x 100 mm b. 掃描(miáo)頻(pín)率 - 10 Hz, 25 Hz及 50 Hz - 10 Hz, ? 4,000,000 像素 c. 可(kě)由(yóu)軟件設(shè)定掃描分(fēn)辨率 |
| 1-5 | 訊(xùn)號量測模塊(kuài) | a. 16 bit A/D 解析能力 b. S/N 可達(dá)>1000 以上(shàng) c. 超(chāo)低(dī)噪(zào)聲放大器(qì)模塊(kuài) |
| 1-6 | 量測(cè)時(shí)間 | a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 50 um resolution) b. <13 mins (For 160 mm x 160 mm with 50 um resolution) |
| 1-7 | 尺(chǐ)寸(cùn) | 60 cm x 60 cm x 100 cm |
| 1-8 | 測量(liáng)分析軟(ruǎn)件(jiàn) | a. 激發(fā)波長切換(huàn) b. 雷射(shè)功率調(tiáo)整 c. LBIC 3D 圖(tú)示 d. 2D 剖麵分(fēn)析(xī)（電深寬度比） e. 光電流回應分(fēn)布分(fēn)析（搭(dā)配(pèi)長(cháng)波(bō)長(cháng)激光(guāng)器） f. 數(shù)據(jù)保存與輸出(chū)功(gōng)能 |
| 1-9 | 計算機係(xì)統(tǒng) | a. x86 兼(jiān)容計(jì)算(suàn)器包(bāo)含(hán)屏幕鍵(jiàn)盤(pán)與鼠標 b. 微軟(ruǎn)操作(zuò)係統(tǒng) |
| 1-10 | 選購項(xiàng)目(mù)1： 連續(xù)光雷射(shè) | a. 可添加 375 nm/ 450 nm/ 520 nm/ 638 nm/ 650 nm/ 780 nm ± 5 nm b. b. 小(xiǎo)功率：50 mW c. TEM00 輸出 d. 功率輸出穩定(dìng)度：<2 % |
| 1-11 | 選購項目2： 外(wài)加偏壓功能(néng) | a. 可施加偏壓（0~5 V）（可(kě)擴(kuò)充更(gēng)大電(diàn)壓(yā)範(fàn)圍(wéi)） b. 軟(ruǎn)件(jiàn)控製(選配) |
ENLI LSD4 激(jī)光掃(sǎo)描缺(quē)陷測繪係統(tǒng) 特(tè)點(diǎn)
● 可(kě)掃描光(guāng)電(diàn)流在(zài)樣品(pǐn)表(biǎo)麵(miàn)的分布圖(tú)像(xiàng)
● 可(kě)掃(sǎo)描(miáo)各(gè)光電(diàn)壓在(zài)樣品表麵的分布圖(tú)像
● 可(kě)掃描開路(lù)電壓與短路電流分(fēn)布
● 可(kě)分析表麵髒汙。
● 可分(fēn)析(xī)短路區域(yù)分(fēn)布
● 可(kě)辨識分析隱裂區(qū)域。
● 可(kě)分析少數(shù)載子擴(kuò)散長度分(fēn)布(bù) (選配(pèi))
● 可做單波(bō)長(cháng)量(liáng)子效(xiào)率(shuài) Mapping
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